Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Polaryzacja = unipolarny; Typ tranzystora = P-MOSFET; Rezystancja w stanie przewodzenia = 130m?; Napięcie dren-źródło = -200V; Rodzaj opakowania = tuba; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±15V; Prąd drenu = -32A; Moc rozpraszana = 300W; Czas gotowości = 190ns; Ładunek bramki = 185nC; Technologia = TrenchP