EUPEC BSM200GB120DN2 to wysokowydajny moduł IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) w konfiguracji półmostkowej, produkowany przez EUPEC (obecnie część Infineon Technologies). Zaprojektowany do wymagających aplikacji w energoelektronice przemysłowej, moduł ten charakteryzuje się niskimi stratami mocy, szybkim przełączaniem i wysoką niezawodnością.Dane techniczne:Producent: EUPEC (obecnie Infineon Technologies)Typ modułu: IGBT Half-Bridge (półmostkowy)Napięcie blokowania: 1200 VPrąd znamionowy (Tc = 80°C): 200 APrąd szczytowy (t_p = 1 ms): Zależny od warunków pracy (proszę sprawdzić dokumentację)V_CE(sat) (przy Tj = 25°C, I_C = 200 A): Typowo około 2.1 V (proszę sprawdzić dokumentację)E_on (przy Tj = 125°C, V_GE = ±15 V, I_C = 200 A): Typowo około 8.0 mJ (proszę sprawdzić dokumentację)E_off (przy Tj = 125°C, V_GE = ±15 V, I_C = 200 A): Typowo około 12.0 mJ (proszę sprawdzić dokumentację)Zintegrowana dioda swobodna: Tak, szybka i miękka dioda odzyskiwania (FRED - Fast Recovery Epitaxial Diode)Temperatura złącza: -40 °C do +150 °CTemperatura obudowy: -40 °C do +125 °CIzolacja elektryczna: 2500 V AC (RMS, 1 minuta)