Producent = IXYSMontaż = THTTyp tranzystora = N-MOSFETPolaryzacja = unipolarnyPrąd drenu = 4ANapięcie dren-źródło = 700VRodzaj opakowania = tubaRezystancja w stanie przewodzenia = 0,85?Obudowa = IPAKRodzaj kanału = wzbogacanyNapięcie bramka-źródło = ±30VMoc rozpraszana = 80WPrąd drenu w impulsie = 8AŁadunek bramki = 11,8nC