IXTA180N10T Tranzystor N-MOSFET x1szt

Producent = IXYS; Montaż = SMD; Obudowa = TO263; Czas gotowości = 72ns; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 180A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 6,4m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 480W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = thrench gate power mosfet; Ładunek bramki = 151nC; Rodzaj kanału = wzbogacany