IXBA16N170AHV Tranzystor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO263

Producent = IXYSMontaż = SMDNapięcie kolektor-emiter = 1,7kVPrąd kolektora = 10ATyp tranzystora = IGBTRodzaj opakowania = tubaObudowa = TO263Ładunek bramki = 65nCCzas załączania = 43nsNapięcie bramka - emiter = ±20VPrąd kolektora w impulsie = 40AWłaściwości elementów półprzewodnikowych = wysokonapięciowaMoc rozpraszana = 150WCzas wyłączania = 370nsTechnologia = BiMOSFET