IXBT10N170 Tranzystor IGBT x1szt

Producent = IXYS; Montaż = SMD; Napięcie kolektor-emiter = 1,7kV; Prąd kolektora = 10A; Typ tranzystora = IGBT; Rodzaj opakowania = tuba; Czas wyłączania = 1,8µs; Ładunek bramki = 30nC; Obudowa = TO268; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora w impulsie = 40A; Czas załączania = 63ns; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wysokonapięciowa; Moc rozpraszana = 140W; Technologia = BiMOSFET