Producent = IXYSMontaż = THTTyp tranzystora = N-MOSFETPolaryzacja = unipolarnyPrąd drenu = 8ARezystancja w stanie przewodzenia = 500m?Napięcie dren-źródło = 700VRodzaj opakowania = tubaObudowa = IPAKŁadunek bramki = 12nCRodzaj kanału = wzbogacanyNapięcie bramka-źródło = ±30VMoc rozpraszana = 150WPrąd drenu w impulsie = 16A