EUPEC BSM200GA120DN2 - Moduł IGBT Półmostkowy (Half-Bridge IGBT Module)EUPEC BSM200GA120DN2 to wysokowydajny moduł IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) w konfiguracji półmostkowej, zaprojektowany do zaawansowanych aplikacji energoelektronicznych wymagających szybkiego przełączania i efektywnego sterowania mocą. Moduł ten integruje dwa tranzystory IGBT oraz dwie diody swobodnego przepływu (Free-Wheeling Diodes) w jednym izolowanym pakiecie, co ułatwia projektowanie kompaktowych i niezawodnych układów.Dane Techniczne Produktu (bazując na typowej charakterystyce serii BSM200GA i oznaczeniu):Producent: EUPEC (obecnie Infineon Technologies)Seria Produktowa: BSM (Bridge Switch Module)Model: BSM200GA120DN2Konfiguracja Obwodu: Półmostek (Half-Bridge) - dwa tranzystory IGBT i dwie diody swobodnego przepływuMaksymalne Napięcie Kolektor-Emiter (Vces): 1200 V (120 w oznaczeniu modelu odpowiada 120 x 10 V)Maksymalny Ciągły Prąd Kolektora (Ic): 200 A (przy określonej temperaturze obudowy, należy zweryfikować w dokumentacji)Maksymalny Prąd Kolektora w Impulsie (Icm): Wyższa wartość prądu dla krótkotrwałych obciążeń (należy zweryfikować w dokumentacji)Maksymalne Napięcie Emiter-Kolektor Diody (Vf): Niskie napięcie przewodzenia diody (należy zweryfikować w dokumentacji)Maksymalny Ciągły Prąd Diody (If): 200 A (przy określonej temperaturze obudowy, należy zweryfikować w dokumentacji)Maksymalny Prąd Diody w Impulsie (Ifm): Wyższa wartość prądu dla krótkotrwałych obciążeń (należy zweryfikować w dokumentacji)Energia Wyłączania IGBT (Eoff): Niska energia strat podczas wyłączania, co przyczynia się do wysokiej sprawnościEnergia Włączania IGBT (Eon): Niska energia strat podczas włączania, co przyczynia się do wysokiej sprawnościCzęstotliwość Przełączania: Zoptymalizowana dla średnich częstotliwości przełączania (należy zweryfikować w dokumentacji)Napięcie Bramka-Emiter (Vges): Maksymalne dopuszczalne napięcie sterujące bramkąRezystancja Włączenia IGBT (Rces(on)): Niska rezystancja w stanie włączenia minimalizuje straty mocy przewodzeniaIzolacja Elektryczna (między podstawą a elementami): Wysokie napięcie izolacji (należy zweryfikować w dokumentacji)Temperatura Pracy (Tj): Zazwyczaj -40 °C do +150 °CTyp Obudowy: Standardowy modułowy pakiet przemysłowy z izolowaną podstawą montażowąMontaż: Za pomocą śrub do radiatora