IPU80R4K5P7AKMA1 Tranzystor N-MOSFET x1szt

Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 800V; Prąd drenu = 1A; Obudowa = IPAK; Rezystancja w stanie przewodzenia = 4,5?; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Ładunek bramki = 4nC; Technologia = CoolMOS P7; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Moc rozpraszana = 13W; Prąd drenu w impulsie = 2,6A