IRFU120NPBF Tranzystor N-MOSFET x1szt

Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = IPAK; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 9,1A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,21?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 39W; Polaryzacja = unipolarny; Ładunek bramki = 16,7nC; Technologia = HEXFET; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V