SEMIKRON SKM 300 GAR 124 D to wysokowydajny moduł tranzystorowy IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), zaprojektowany do zastosowań w wymagających aplikacjach energoelektronicznych. Charakteryzuje się niskimi stratami mocy, wysoką niezawodnością i solidną konstrukcją, co czyni go idealnym wyborem dla przemysłowych systemów napędowych, spawarek, zasilaczy UPS i wielu innych.Dane techniczne:Producent: SEMIKRONModel: SKM 300 GAR 124 DTyp: Moduł IGBTKonfiguracja: Pojedynczy tranzystor IGBT z diodą antyrównoległąNapięcie kolektor-emiter (Vces): 1200 VPrąd kolektora (Ic): 300 A (przy Tc = 80°C)Prąd impulsowy kolektora (Icm): 600 ANapięcie bramka-emiter (Vges): ±20 VMaksymalna temperatura złącza (Tjmax): 150 °CTyp obudowy: SEMITRANS 4Izolacja elektryczna: 2500 V AC (RMS, 1 minuta)Straty przewodzenia (Vce(sat)): Typowo 2.1 V (przy Ic = 300 A, Tj = 125°C)Straty wyłączania (Eoff): Typowo 12 mJ (przy Ic = 300 A, Vce = 600 V, Rg = 2.2 Ω, Tj = 125°C)Dioda antyrównoległa:Typ: CAL (Controlled Axial Lifetime)Prąd ciągły (If): 300 A (przy Tc = 80°C)Prąd impulsowy (Ifm): 600 ANapięcie wsteczne (Vrr): 1200 V