IXFT120N30X3HV Tranzystor N-MOSFET x1szt

Producent = IXYS; Montaż = SMD; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Rezystancja w stanie przewodzenia = 11m?; Prąd drenu = 120A; Napięcie dren-źródło = 300V; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 170nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Obudowa = TO268; Technologia = HiPerFET, X3-Class; Moc rozpraszana = 735W; Czas gotowości = 145ns